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マイクロ化総合技術センターからのご案内

(2017.04.28 更新)

日 時 半導体プロセス基礎実習:2017年 6月 8日(木)~ 9日(金)
産学連携製造中核人材育成セミナー:2017年7月31日(月)~ 8月 3日(木)
場 所 飯塚キャンパス マイクロ化総合技術センター
内 容 マイクロ化総合技術センターでは「産学連携製造中核人材育成セミナー」と「2017年度半導体プロセス基礎実習(フォトリソグラフィー、ドライエッチング)」を開催いたします。
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①産学連携製造中核人材育成セミナーおよび独自デバイス設計開発実習試作利用のご案内
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産学連携製造中核人材育成セミナーは、MOSFET と簡単な論理回路を自分の手で作製しながら、マイクロ加工プロセス技術の基礎を習得できる『実習講座』です。
4日間の日程で座学と作製・測定実習を行い、4インチウエハ内にnMOSFET とpMOSFET、CMOS インバータ回路、CMOS NAND 回路、CMOS NOR 回路、その他(Ring Oscillator など)を作製し、 これらの電気的特性を測定します。
日程は2017年7月31日(月)~8月3日(木)となり、 受講料は83,600円(1名あたり)になります.
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詳しくは、マイクロ化総合技術センターのホームページに掲載されている案内および内容詳細をご覧ください.(PDFファイルが開きます)
産学連携製造中核人材育成セミナーのご案内
セミナーの内容詳細
*申込期間:2017年 4月26日(水)~ 6月30日(金)
*受講確定のご案内:2017年 7月 7日(金)ごろ

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本学の教員も参加可能ですので、当セミナーをご検討頂けると幸いです。
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またマイクロ化総合技術センターでは「半導体研究チャレンジ講座」独自デバイス設計開発実習の試作利用も募集を行っております。
これはLSIデバイス設計実習の一環として、利用者が独自に設計レイアウトしたLSIを試作するサービスです。
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詳しくは下記案内をご覧ください。(PDFファイルが開きます)
案内
*申込期間:2017年 6月30日(金)まで
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②2017年度半導体プロセス基礎実習(フォトリソグラフィー、ドライエッチング)のご案内
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半導体プロセス基礎実習を2017年6月8日(木)~9日(金)の日程で開催いたします。
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この実習は、半導体プロセスの基礎であるフォトリソグラフィとドライエッチング工程を学ぶ内容になっております。縮小投影露光装置(ステッパー)および両面マスクアライナーを用いたフォトリソグラフィと、シリコンおよびシリコン酸化膜のドライエッチング・深堀エッチングを行い、作製したパターン形状を光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡(SEM)で観察・評価する実習です。
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ご指導頂いている学生等へ、この実習開催をご紹介頂ければ幸いです。
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詳しくは、マイクロ化総合技術センターのホームページに掲載されているポスターおよび内容詳細をご覧ください。(PDFファイルが開きます)
ポスター
内容詳細
*申込期間:2017年 4月26日(水)~ 5月31日(水)
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ご不明な点等がございましたら、マイクロ化総合技術センターまでお気軽にEメールにてお問い合わせください。
問合せ先 マイクロ化総合技術センター 坂本
   E-mail:sakamoto*cms.kyutech.ac.jp(*を@に変えてお送りください)

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